Ученые заменят флеш-память терабайтным накопителем

Источник «ТЕХНОМАНИЯ» / фото - «texnomaniya.ru» 14.10.2014 08:51

Ученые из Калифорнийского университета разработали технологию новых накопителей для мобильной электроники. Она найдет свое применение в смартфонах, планшетах, ноутбуках и цифровых камерах.

В основе лежит резистивная память, позволяющая делать ячейки памяти очень маленькими. Она работает на высокой скорости и позволяет создавать накопители большего объема, чем на базе флеш-технологии, которая в настоящее время является промышленным стандартом. Для резистивной памяти обычен накопитель, емкость которого исчисляется в терабайтах, а не в гигабайтах, как это сегодня привычно.

Скоро знание о том, как работает флешка займет место в учебниках истории. Ключевым моментом технологии является разработка нано-«островков» из оксида цинка, размещаемой на кремниевой основе. Это позволяет устранить второй элемент, именуемый устройством-переключателем, в роли которого часто выступает диод. Резистивная память обычно характеризуется металл-оксид-металлической структурой.

Учеными была продемонстрирована альтернатива, сформированная из нано-«островков», материалом для формирования которых является оксид цинка.

Новость на сайте «ТЕХНОМАНИЯ» / Интересные / 2014-10-14T08:51:00+03:00 / 560

Другие новости / Интересные

Интересные